N型SiC衬底的电阻率测试原理及加工过程中测试结果的稳定性  

作　　者：闫兰 

机构地区：[1]河北同光半导体股份有限公司,河北保定071000

出　　处：《电子制作》2024年第22期89-91,共3页Practical Electronics

摘　　要：电阻率是表征半导体电子器件材料特性的基本品质因子。导电型SiC晶片的电阻率测量,通常采用非接触式涡流法。这种测试技术相比传统的电流-电压法有明显优势:测试过程与样品无电气连接、样品不用特殊制备、且测量快速准确。但样品晶片表面被粘污、有表面损伤或粗糙度过大等均会对测试结果带来一定的误差。本文介绍了导电型SiC电阻率的测试原理并具体描述了检测设备组成及检测方式方法。通过追踪衬底的不同加工阶段:切割+清洗、研磨+清洗、粗/精磨+清洗以及CMP+精细清洗后的N型SiC单晶片的电阻率情况,分析其测试数据,验证了实际生产过程中晶片电阻率测量结果的稳定性情况,提出了N型SiC晶片进行电阻率测量的最适宜加工阶段。

关 键 词：N型SiC衬底 非接触涡流法 电阻率测量 表面状态 加工阶段 稳定性 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]