精神分裂症病人事件相关电位与认知功能损害关系的研究进展  

Research progress on the relationship between event⁃related potential and cognitive impairment in schizophrenia patients

作　　者：兰宇 郎小娥 李文昕 LAN Yu;LANG Xiao'e;LI Wenxin(The First Clinical College of Medicine,Shanxi Medical University,Shanxi 030001 China;First Hospital of Shanxi Medical University)

机构地区：[1]山西医科大学第一临床医学院,山西030001 [2]山西医科大学第一医院

出　　处：《护理研究》2024年第24期4488-4492,共5页Chinese Nursing Research

基　　金：中央引导地方科技发展资金项目,编号:YDZJSX2022A064。

摘　　要：认知功能损害是精神分裂症的核心症状之一,然而其病理生理学机制尚不明确。事件相关电位作为一种安全无创、操作简单的神经电生理学检测方法,主要用于反映大脑对刺激事件不同的认知加工过程,研究精神分裂症病人事件相关电位的变化可能有助于理解其认知功能损害的神经机制,为精神分裂症的临床诊断和精准化治疗提供客观依据。

关 键 词：精神分裂症 认知功能损害 事件相关电位 综述 

分 类 号：R473.74[医药卫生—护理学]