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作 者:程亮[1] Cheng Liang(Shanxi Institute of Economic Management,Taiyuan Shanxi 030024,China)
出 处:《山西电子技术》2024年第6期6-8,27,共4页Shanxi Electronic Technology
摘 要:通过对三极管基极发射极电压V_(BE)温度特性的深入研究,推导出V_(BE)电压中与绝对温度相关的线性项和高次项函数关系。在此基础上,设计了一种能产生与绝对温度的平方成正比例电流的电路,把该电流叠加到传统带隙基准源上,达到进一步减小温度系数的目的。采用CSMC 0.18um标准CMOS工艺进行仿真,得到二阶曲率补偿后的基准源温度系数为8.8 ppm/℃。Throughthe in-depthstudy of the temperature characteristics of the base emitter voltage V BE,the linear term and the high-order function relationship related to absolute temperature in V BE are derived.On this basis,a circuit is designed that can generate acurrent proportional to the square of the absolute temperature,and superimpose the current on the traditional bandgap reference source to further reduce the temperature coefficient.The CSMC0.18 umstandard CMOS process is used for simulation,and the reference source temperature coefficient after second-order curvature compensation is 8.8ppm/°C.
关 键 词:带隙基准源 温度系数 二阶曲率补偿 与温度无关电流
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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