勘误  

作　　者：《半导体技术》编辑部 

机构地区：[1]不详

出　　处：《半导体技术》2025年第1期16-16,共1页Semiconductor Technology

摘　　要：本刊2024年第12期刊登的论文《压接型IGBT器件内芯片电流测量线圈宽频特性与参数选择》,作者为季一润、袁文迁、槐青、袁茜、郝震、孙鹏、赵志斌,因作者失误,导致通信作者简介有误。正确的通信作者简介应为:郝震(1985-),男,山东泰安人,硕士,高级工程师,研究方向为柔性直流输电技术。特此声明。

关 键 词：柔性直流输电技术 作者简介 山东泰安 宽频特性 测量线圈 参数选择 通信 

分 类 号：G23[文化科学]