半导体AMAT Centura 5200设备外延工艺颗粒异常改善提升技术分析  

作　　者：陆爱国 

机构地区：[1]济南比亚迪半导体有限公司,山东济南250000

出　　处：《今日制造与升级》2024年第11期25-27,共3页Manufacture & Upgrading Today

摘　　要：半导体硅外延生长工艺操作过程中会产生多种缺陷,包括晶圆膜厚、电阻率均匀性差、颗粒、划痕、滑移线、条纹以及雾等,其中导致颗粒异常的工艺因素有很多。基于此,分析提供该类型外延炉颗粒异常管控改善的方法及措施,通过建立完善的FTA分析,提升改善颗粒超标工艺结果,提高晶圆产品良率,为相关半导体行业提供参考和借鉴。

关 键 词：半导体 外延生长 AMAT Centura 颗粒 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]