光电子领域中的纳米半导体材料  

Nano-semiconductor Materials in Photo-electronic Fields

作　　者：牛俊杰[1] 沙健[2] 马向阳[1] 张辉[1] 杨青[1] 杨德仁[1] 

机构地区：[1]浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 [2]浙江大学物理系,杭州310027

出　　处：《材料导报》2002年第11期62-65,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50032010);浙江省科学自然基金(601092)

摘　　要：近年来,纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意。由于纳米半导体材料的量子限域效应、尺寸效应等影响使得它们在光电转移、电子器件等方面有着优异的性能,必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用。详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史,研究情况以及存在的问题等。Recently,research on nano-semiconductor materials in photo-electronic fields has drawn more and more interest.Nano-semiconductor materials show outstanding properties because of their quantum confinement effects,size effects.They are expected to play a key role in future micro-electronics and nano-electronics.This paper describes the history,current status and limitations of nano-semiconductor materials in photo-electronic fields.

关 键 词：光电子领域 纳米半导体材料 光电转换 纳米硅 光电子器件 光电材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]