电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响  

Effects of Electron Trap on Photosensitive Process of AgX Microcrystals

作　　者：耿爱丛[1] 韩理[1] 傅广生[1] 李晓苇[1] 陆晓东[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002

出　　处：《河北大学学报（自然科学版）》2002年第4期396-399,414,共5页Journal of Hebei University(Natural Science Edition)

基　　金：教育部科技研究重点项目 (0 10 11);河北省自然科学基金资助项目 (19910 4 )

摘　　要：根据成核 -生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用 ,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目 ,从而达到提高潜影形成效率的目的 .Based on the Nucleation and Growth model, this paper presents the conceptions of the electron trap and the hole trap in silver halide microcrystals and the effects of the electron trap on photosensitive process in detail, especially introduces how to optimize the density and depth of electron traps to decrease recombination and the number of nucleation sites so as to increase latent imaging formation efficiency.

关 键 词：感光过程 电子陷阱 卤化银微晶 束缚电子 空穴陷阱 感化材料 潜影形成效率 

分 类 号：TB812.1[一般工业技术—摄影技术]