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作 者:何飞[1] 贺端威[1,2] 马迎功 晏小智 刘方明[1] 王永坤[1] 刘进[1] 寇自力[1] 彭放[1]
机构地区:[1]四川大学原子与分子物理研究所,四川成都610065 [2]高能量密度物理教育部重点实验室,四川成都610065
出 处:《高压物理学报》2015年第3期161-168,共8页Chinese Journal of High Pressure Physics
基 金:国家自然科学基金(51472171;11427810);国家重点基础研究发展计划(973项目)(2011CB808200)
摘 要:利用大腔体静高压装置的实验数据,提出了"极限压缩体积比"的概念以及腔体与组装设计的一般性原理。通过对极限压缩体积比的分析,设计出了样品腔体达到厘米级的36/20(正八面体传压介质边长为36mm/末级压砧正三角形截角边长为20mm)组装。采用原位电阻观测Bi(Ⅲ-Ⅴ,7.7GPa),ZnTe(Ⅰ-Ⅱ,5GPa;Ⅱ-Ⅲ,8.9~9.5GPa;半导体-金属,11.5~13.0GPa)和ZnS(半导体-金属,15.6GPa)在高压下相变的方法,标定了36/20组装的腔体压力。实验结果表明所设计样品腔的尺寸大于10mm,压力可以达到15GPa以上。本工作使得基于国产6×2 500t(吨)铰链式六面顶压机的二级6-8型静高压装置在高压实验研究中具有更加广阔的应用前景。By analyzing experimental data,we put forward the concept of the limit compression volume ratio and the general design principles of centimeter magnitude sample chamber for two-stage 6-8type static high pressure apparatus.Based on the limit compression volume ratio,we designed an assembly of 36/20(Octahedral edge-length 36 mm/anvil truncation edge-length 20 mm)with high pressure generating efficiency.Pressure calibration at room temperature for the 36/20 assembly was performed using the phase transitions of Bi(Ⅲ-Ⅴ,7.7GPa),ZnTe(Ⅰ-Ⅱ,5GPa;Ⅱ-Ⅲ,8.9-9.5GPa;semiconductor-metal,11.5-13.0GPa)and ZnS(semiconductor-metal,15.6GPa).The experimental results show that the pressure of sample chamber exceeds 15 GPa and the sample diameter reaches 1cm.The improvements of two-stage 6-8type static high pressure apparatus have great potential applications in high-pressure experimental research and industrial production.
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