激光晶体Nd:YVO_4的形貌及生长缺陷  

Topography and Growth Defects in Laser Crystal Nd:YVO_4

作　　者：肖敬忠[1] 王毅[1] 黄朝红[1] 王爱华[1] 殷绍唐[1] 邵曼君[2] 田玉莲[3] 黄万霞[3] 杭寅[4] 

机构地区：[1]中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥230031 [2]中国科学院化工冶金研究所,北京100080 [3]中国科学院北京高能物理研究所,北京100039 [4]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海210080

出　　处：《量子电子学报》2002年第6期496-498,共3页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：国家自然科学重点基金(项目号:59832080).

摘　　要：本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.In this paper, environmental scanning electron microscopy (ESEM) and synchrotron radiation white beam X-ray topography (SRWBT) are applied to study the topography and growth defects in Nd:YVO4 laser crystal. The ESEM topographic images of crack surface and the SRWBT topographic images of crystal defects are obtained, through which defects such as dislocations and inclusions are observed, which are useful for growing high-quality laser crystal Nd:YVO4 by the pulling method.

关 键 词：激光晶体 生长缺陷 ND:YVO4晶体 环境扫描电镜 同步辐射白光形貌术 晶体开裂 晶体缺陷 

分 类 号：TN244[电子电信—物理电子学] O78[理学—晶体学]