热光电式核电源关键器件研究进展  

作　　者：蒋汀岚 王野 杨小磊 周楚寒 

机构地区：[1]中国核动力研究设计院,四川成都610213

出　　处：《科技与创新》2025年第2期1-5,9,共6页Science and Technology & Innovation

摘　　要：光伏电池已成为人类科技探索的能源供应优选方案。相较于太阳能光伏电池,热光伏(Thermophotovoltaic,TPV)电池禁带宽度窄,多数为低带隙(0.25~0.70 eV)Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,GaSb、InGaAs、InGaAsSb和InAs等是制备热光伏电池的良好半导体材料,可吸收近红外光谱。介绍了热光伏系统的结构及工作原理,讨论了热光伏电池国际研究情况,比较了不同禁带宽度热光伏电池的性能和特点,分析了未来发展趋势及应用可能。

关 键 词：核电源 热光伏 低禁带电池 Ⅲ-Ⅴ族半导体 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]