光操控反铁磁材料实现磁态转换  

作　　者：张佳欣 

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子质量》2025年第1期37-37,共1页Electronics Quality

摘　　要：反铁磁材料在信息处理与内存芯片技术领域具有广泛的应用前景。据最新一期《自然》杂志,美国麻省理工学院科研团队仅使用光就在反铁磁材料中实现了磁态转换,创造出一种新型且持久的磁态。这一技术为研究人员提供了控制磁性的强大工具,有助于设计更快、更小、更节能的内存芯片。反铁磁体由自旋方向交替的原子组成,每个原子的自旋方向都与其相邻原子的自旋方向相反。这种上、下、上、下的顺序基本抵消了自旋,使反铁磁体总磁化强度为零,从而不受任何磁力的影响。

关 键 词：内存芯片 反铁磁体 信息处理 科研团队 磁化强度 原子组成 自旋 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]