缺陷赋予Bi_(2)Te_(3)晶体热电材料优异的室温塑性  

Defects enable exceptional room-temperature plasticity in Bi_(2)Te_(3) bulk crystals

作　　者：常诚 赵立东[1] Cheng Chang;Li-Dong Zhao(School of Materials Science and Engineering,Beihang University,Beijing 100191,China)

机构地区：[1]北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京100191

出　　处：《科学通报》2025年第4期468-470,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家杰出青年科学基金(51925101);国家自然科学基金(52250090,52002042,51772012,51571007,12374023);北京市自然科学基金(JQ18004);高等学校学科创新引智计划(B17002);腾讯科学探索奖的支持

摘　　要：半导体材料是电子信息产业的材料基础,半导体的高迁移率和高稳定性是被广泛关注的关键性能指标.近年来,随着智能穿戴设备的迅速发展,半导体材料面临着新的属性要求,例如柔性和塑性(柔性指材料受力易变形,外力去除后能恢复原状;塑性指材料受力后产生永久性变形).然而,传统半导体材料通常具有脆性,在室温下的变形应变通常低于1%,这一特性显著限制了它们在柔性电子领域的应用潜力.

关 键 词：半导体材料 恢复原状 热电材料 Bi_(2)Te_(3) 柔性电子 电子信息产业 高迁移率 智能穿戴设备 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]