二硒化钨纳米片基阻变存储器研究  

作　　者：周晓凡 李颖 郭家俊 

机构地区：[1]聊城大学物理科学与信息工程学院

出　　处：《信息系统工程》2025年第3期135-138,共4页

摘　　要：在新一代信息存储技术中,阻变存储器(Resistive Randomm Access Memory,RRAM)彰显出无可比拟的优势。二硒化钨(WSe2)作为典型的过渡金属硫属化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDCs),凭借其独特的光电性质受到广泛关注。构建了基于WSe2纳米片的RRAM器件并展现出典型的电阻开关特性,具备良好的数据保持特性,表明WSe2纳米片在构建信息存储器件方面具有巨大的潜力。

关 键 词：阻变存储器 二硒化钨 拉曼光谱 吸收光谱 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]