硅压阻压力传感器静电损伤故障分析  

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作  者:金琦[1] 魏晓明 李斌 吕宏珲 姚欣岳 

机构地区:[1]沈阳仪表科学研究院有限公司,辽宁沈阳110043 [2]电子科技大学,四川成都611731

出  处:《机电信息》2025年第6期68-70,共3页

摘  要:静电损伤对电子产品的危害日益凸显,其中对质量与可靠性方面的影响尤为显著。硅压阻压力传感器属于静电敏感器件,在生产制造和使用中对静电防护应给予高度重视。针对某型号传感器使用中出现的零点输出超差,通过排查及定位分析,确定了该故障是由传感器内部敏感芯片受静电损伤造成的;对静电产生的机理进行了分析和试验验证,并提出了纠正措施,为在生产制造过程中提高传感器质量和可靠性提供了参考。

关 键 词:压力传感器 静电损伤 故障分析 

分 类 号:TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]

 

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