杂质对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究  

作　　者：何发林 王凤皋 

机构地区：[1]特变电工股份有限公司,新疆昌吉831100

出　　处：《信息记录材料》2025年第3期36-38,共3页Information Recording Materials

摘　　要：本文提出一种运用传统分子动力学原理实现杂质对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究方案。方案以硅晶体、杂质原子及相互作用势为研究范畴,引入边界条件,构建系统初始模型,在设定系统运行的研究条件基础上,完成初始模型重新到达平衡的全过程模拟,最终实现对过程模拟数据的提取与分析。本文以行业普遍关注的铁元素为代表的金属杂质对硅晶体生长的影响为例构建初始模型。结果表明:杂质对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究方法具备广泛的可实施性。

关 键 词：杂质 晶体缺陷 硅 分子动力学 模拟 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]