基于多维优化策略的28nm节点MOSFET短沟道效应抑制研究  

作　　者：邱雨辰 张乔峰 蒋本福 潘欣欣 

机构地区：[1]珠海科技学院电子信息工程学院,广东珠海519041

出　　处：《信息记录材料》2025年第3期42-45,共4页Information Recording Materials

基　　金：珠海科技学院线下一流课程项目(ZLGC20220106);珠海科技学院专业负责人培养项目。

摘　　要：本研究提出一种基于多维优化策略的28 nm节点金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)短沟道效应抑制方法。通过计算机辅助设计仿真和机器学习辅助分析,系统研究栅氧化层材料、厚度、应力工程和界面态控制对器件性能的影响。结果表明,采用30%N含量的SiON栅氧化层(1.7 nm)结合1.2 GPa应力工程的优化方案可显著提升MOSFET性能,漏致势垒降低(drain induced barrier lowering,DIBL)效应降低40%、亚阈值摆幅降低20%、驱动电流提升25%。基于支持向量机(support vector machine,SVM)的性能预测模型达到95%的准确率,可为器件优化提供高效的评估方法。综上,基于多维优化策略和机器学习辅助分析方法为28 nm及以下节点MOSFET的设计提供了新的技术路线,对推进先进工艺节点器件的性能优化提供参考与指导。

关 键 词：多维优化策略 短沟道效应 漏致势垒降低效应 亚阈值摆幅 栅介质层 机器学习 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]