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作 者:朱海 王亚琪 王润晨 董君行 ZHU Hai;WANG Yaqi;WANG Runchen;DONG Junxing(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Physics,Sun Yat-Sen University,Guangzhou 510275,China)
机构地区:[1]中山大学物理学院,光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510275
出 处:《发光学报》2025年第3期421-435,共15页Chinese Journal of Luminescence
基 金:国家自然科学基金(U22A2073,62474197);广东省基础与应用基础研究基金(2024A1515011536)。
摘 要:ZnO高达60 meV的激子束缚能使其激子能在室温甚至更高温度下稳定存在,这使得基于ZnO强耦合微腔的激子极化激元器件可以突破传统半导体的低温实验条件限制,是近十年来研究者所青睐的激子极化激元研究材料。本文介绍了ZnO主要的半导体微腔结构,并聚焦于近年来报道的ZnO强耦合微腔及激子极化激元的相关现象,包括极化激元激光、参量散射以及量子态调控特性,最后对未来的研究方向提出了展望。The exciton binding energy of ZnO up to 60 meV enables its excitons to exist stably at room temperature or even higher.This characteristic allows exciton-polariton devices based on ZnO strong coupled microcavities to overcome the low-temperature experimental limitations of traditional semiconductors,making ZnO a favored material for exciton-polariton research in the past decade.This paper introduces several semiconductor microcavity structures of ZnO and focuses on recent reports about phenomena related to ZnO strong coupled microcavities and exciton-polari-tons,including polariton lasing,parametric scattering,and quantum states control.The future research direction is also prospected.
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