基于近场扫描微波显微镜的芯片内部硅片成像  

作　　者：刘家宁 杨晓庆[1] 徐宇 王鹏宇 王雪雨 赵宇 谢意 

机构地区：[1]四川大学,四川成都610065 [2]贵州航天计量测试技术研究所,贵州贵阳550025 [3]成都信息工程大学,四川成都610000

出　　处：《电子制作》2025年第5期3-7,共5页Practical Electronics

基　　金：成都市科技厅项目(2023-JB00-00019-GX);四川省重大科技专项(2023ZDZX0014)。

摘　　要：集成电路芯片的内部结构目前业界内常用X射线和超声波来成像。但是这两种检测手段都有各自的劣势,如X射线产生电离辐射,会对人体产生危害;超声波检测依赖耦合剂,增加操作复杂性。近场扫描微波显微镜(Near-field Scanning Microwave Microscope,NSMM)作为新兴的成像技术,具有非接触性、无电离辐射等优点。针对芯片内部硅片成像设计了一款加工方便的电容加载谐振腔,作为NSMM的核心部件。利用电磁谐振腔微扰原理和多点S参数测量技术,实现了对集成电路芯片内部硅片的高分辨率成像。通过仿真和实验分析,本文认为NSMM成像技术在半导体工业中具有广泛的应用潜力。

关 键 词：近场扫描微波显微镜 集成电路芯片 电容加载谐振腔 

分 类 号：TN82[电子电信—信息与通信工程] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]