基于Ansys的IGBT加速老化试验仿真平台研究  

作　　者：王恩宇 

机构地区：[1]湖南工业大学,湖南株洲412007

出　　处：《电子制作》2025年第5期114-117,共4页Practical Electronics

摘　　要：加速老化试验能加速器件的老化过程,是评估绝缘栅双极型晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor,IGBT)运行可靠性的关键技术。然而,传统的IGBT加速老化试验通常需要不间断地持续数月,带来了较高的时间与能源成本。为了克服这些问题,本文设计了一种基于Ansys的IGBT加速老化仿真试验平台。首先,该平台能自定器件的电气参数与热参数;其次,通过调整老化参数,能控制器件的仿真老化过程;最后,通过实验证明了所提平台能实现对IGBT加速老化过程中导通电压的准确仿真。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 加速老化试验 功率循环 寿命评估 

分 类 号：TM938.71[电气工程—电力电子与电力传动]