双极型半导体分立器件失效定位的研究  

作　　者：单少杰 

机构地区：[1]上海维安半导体有限公司

出　　处：《消费电子》2025年第4期182-184,共3页Consumer Electronics Magazine

摘　　要：双极型半导体器件失效分析是器件研发、性能优化过程中的重要技术手段,其中失效定位是失效分析的前提。失效定位的精准性直接关乎分析效率与成本效益。针对当前电学性能失效分析领域广泛采用的三种失效定位技术——光子辐射显微技术(Photo Emission Microscope,EMMI),光致阻变技术(Optical Beam Induced Resistance Change,OBIRCH)以及显微红外热成像技术(Thermal EMMI),本研究深入剖析了各种分析手段的工作原理,分析半导体分立器件不同失效模式的定位方式,并针对不同失效模式失效的定位方式给出建议和指导。这可以有效提升芯片设计公司在失效分析上的主动性,减少失效定位所消耗的资金和时间,并对后续的产品优化提供指导性建议。

关 键 词：失效定位 光子辐射显微技术 光致阻变技术 显微红外热成像技术 液晶热点检测 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]