交叉耦合型高CMTI电平移位电路设计  

作　　者：兰云鹏 

机构地区：[1]深圳市国微电子有限公司

出　　处：《数字技术与应用》2025年第2期226-228,共3页Digital Technology & Application

摘　　要：本文结合电平移位电路的开发现状,说明了高CMTI电平移位电路开发设计的必要性,并提出了一种交叉耦合型高CMTI电平移位电路的设计方案,以窄脉冲产生电路、高CMTI电平移位电路为切入点,阐述了该电路的具体设计与实现要点。在此基础上,本文针对该电路的性能进行了仿真模拟分析。结果表明,本电路结构实际所产生的输入时延相对较小,CMTI达到200 V/ns,总体性能理想。为提升电平移位器的抗扰动能力,减少由于多种原因所产生的差动电流噪声,提高电平移位器的总体性能,设计一种基于交叉耦合型的、具有较高CMTI的电平移位电路结构极为必要。

关 键 词：交叉耦合型 高CMTI 电平移位电路 窄脉冲产生电路 抗扰动能力 仿真模拟分析 输入时延 电路结构 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]