国际首创!九峰山实验室8英寸GaN衬底材料新突破  

出　　处：《变频器世界》2025年第3期39-40,共2页The World of Inverters

摘　　要：3月22日,九峰山实验室首次公布了GaN相关的研究成果,包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底(N-polarGaNOI);全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台;动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。成果覆盖了GaN产业链的上下游,包括材料、器件设计、应用。

关 键 词：国际首创 8英寸硅基氮极性氮化镓衬底 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] TN304