高可靠半导体集成电路静电放电敏感度评价标准研究  

Research on the evaluation standard of electrostatic discharge sensitivity for high-reliability semiconductor integrated circuits

作　　者：罗晓羽[1] Luo Xiaoyu

机构地区：[1]中国电子技术标准化研究院

出　　处：《质量与认证》2025年第3期56-59,共4页

摘　　要：针对高可靠半导体集成电路静电放电敏感度(ESD)评价标准及存在问题开展了研究,分析了在现行标准规定的人体模型ESD评价基础上补充带电器件模型ESD评价的必要性,重点探究分析了带电器件模型ESD失效风险较高的器件类型及其技术特点,提出了高可靠半导体集成电路ESD评价标准完善建议。

关 键 词：高可靠半导体集成电路 静电放电敏感度 评价标准 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]