硅基锗硅异质结电光调制结构的参数优化  

作　　者：黎重林 钱清友 张超 周然 冯松[2] 

机构地区：[1]捷捷半导体有限公司 [2]西安工程大学

出　　处：《中国宽带》2025年第1期163-165,共3页China BroadBand

基　　金：国家自然科学基金项目(项目编号:61204080);江苏省科技副总项目(项目编号:FZ20240945)。

摘　　要：在光通信领域,硅基光电子集成芯片作为现代光通信技术的核心组件,其性能的提升对于整个通信行业的发展具有至关重要的作用。然而,硅材料本身的光电性能在一定程度上限制了硅基光电子集成芯片的性能提升,如何实现高性能、低损耗的器件仍然是一个技术挑战。硅基光电异质集成技术通过将硅基光电子器件与其他高性能的光电材料相结合,实现了在硅基平台上高效、稳定的光电转换,从而提高了硅基光电子集成芯片的整体性能。为了更好地研究和应用这一技术,本文对电光调制器的调制机理进行了研究,并对硅基锗硅异质结电光调制结构进行了深入分析,通过调制结构参数优化,得到了可以达到40Gbps的调制结构。

关 键 词：光通信 半导体器件 锗硅异质结 电光调制 光波导 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统]