Sr掺杂对具有非公度结构LaTaO_(4)的电学性能影响  

作　　者：陶依纯 

机构地区：[1]天津师范大学物理与材料科学学院,天津300380

出　　处：《大众标准化》2025年第8期115-117,共3页Popular Standardization

基　　金：天津师范大学校级课题“Sr掺杂对具有非公度结构LaTaO_(4)的电学性能影响的研究”(202410065428)。

摘　　要：LaTaO_(4)陶瓷作为一种极具潜力的铁电材料,其铁电性能受晶体结构与掺杂因素的显著影响,文章聚焦于Sr掺杂对陶瓷和薄膜电学性能的调控研究,运用固相反应法和脉冲激光沉积技术制备了不同Sr掺杂浓度的LaTaO_(4)陶瓷及薄膜,经对烧结温度与掺杂比例的优化,发现适量Sr掺杂可有效改善LaTaO_(4)的晶相稳定性及电学性能,尤其是铁电、压电与介电性能。而PLD生长的LaTaO_(4)薄膜结构质量良好、电学特性优异,掺Sr后薄膜极化强度和频率稳定性显著提升,为其在铁电领域的应用提供了重要依据。

关 键 词：LaTaO_(4)陶瓷 Sr掺杂 铁电性 脉冲激光沉积 电学性能 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业]