DC~170GHz InP DHBT超宽带双模混频器  

A DC to 170 GHz Ultra-wideband Dual-mode Mixer in InP DHBT Technology

作　　者：项萍[1,2] 杨昆明 王维波 程伟[1,3] 陈膺昊 苗鹤瑜[2] 陈莹梅 XIANG Ping;YANG Kunming;WANG Weibo;CHENG Wei;CHEN Yinghao;MIAO Heyu;CHEN Yingmei(Nanjing Electronic Devices Istute,Nanjing,210016,CHN;Southeast University,Nanjing,210096,CHN;National Key Laboratory of Solid state Microwave Devices and Circuits,Nanjing,210016,CHN;Purple Mountain Laboratories,Nanjing,21111,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]东南大学,南京210096 [3]固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016 [4]紫金山实验室,南京211111

出　　处：《固体电子学研究与进展》2025年第2期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、T型感容补偿网络等带觉扩展技术。该超宽带混频器芯片集成了本振(LO)和射频(RF)巴伦、混频器单元,LO和中频(IF)放大器,可以同时用于基波和三次谐波混频,其中在DC-67 GH2的基波模式时,变频损耗为9dB,输人功率1dB压缩点为5dBm;在67-170GHz的三次谐波模式时,变频损耗为22dB,输入功率1dB压缩点为0dBm(如图2,3所示)此外,混频器的LO-RF隔离度大于47 dB,LO-IF隔离度大于35dB(如图4所示)该芯片具有超宽带、高集成度、高隔离的特点,可应用于仪器仪表等领域。

关 键 词：亚微米 难熔发射极 工艺平台 基极欧姆接触 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]