ZnO电阻片老化特性研究  

作　　者：张杰 王路兴 张义 李佳宾 王稳稳 

机构地区：[1]甘肃电器科学研究院 [2]甘肃工业职业技术学院

出　　处：《电器工业》2025年第5期17-23,共7页CHINA ELECTRICAL EQUIPMENT INDUSTRY

基　　金：甘肃省科技型中小企业技术创新基金(23CXGE0014);甘肃省市场监管局科技计划资助项目(No.SSCJG-ZJ-A202304)。

摘　　要：ZnO电阻片老化特性的研究,可提高系统的稳定性和可靠性,促进新型电力系统的构建。首先,建立肖特基势垒模型,研究电阻片的老化机理,间隙锌离子在正偏置电压下的定向迁移导致势垒发生畸变,由于两侧势垒高度不同,形成不等的电流;其次,分析单个晶界的伏安特性,势垒电压和非线性系数存在很大的不均匀性,只有少数的晶界具有良好的伏安特性。最后,开展ZnO电阻片老化试验,试验结果表明,功耗特性曲线先减小后趋于平稳;交/直流参考电压在老化后增加,并且直流参考电压大于交流参考电压。该研究方法为以后的研究提供一定的参考价值。

关 键 词：ZNO电阻片 肖特基势垒 伏安特性 功耗特性 参考电压 

分 类 号：TM46[电气工程—电器]