《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词  

出　　处：《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

摘　　要：宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难以满足新型半导体器件的技术需求。

关 键 词：电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]