碳化硅非线性电阻导电机理  

作　　者：贺西民[1] 

机构地区：[1]西安电瓷研究所,西安710077

出　　处：《电瓷避雷器》1992年第6期47-49,共3页Insulators and Surge Arresters

摘　　要：提出了SiC非线性电阻的导电模型.利用半导体理论分析了SiC非线性电阻的静态及动态伏安特性,认为SiC非线性电阻的伏安特性是由形成SiC非线性电阻的两大组分—SiC、结合剂共同决定的.

关 键 词：SiC阀片 显微结构 导电机理 

分 类 号：TM862[电气工程—高电压与绝缘技术]