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机构地区:[1]天津大学化工学院,一碳化学与化工国家重点实验室,天津300072
出 处:《高等学校化学学报》2003年第1期135-139,共5页Chemical Journal of Chinese Universities
基 金:教育部博士学科点基金 (批准号 :19990 0 5 6 0 3);国家重大基础研究预研项目资助
摘 要:采用溶胶 -凝胶法制备出摩尔分数为 0 .5 % Cu/Zn O-1 .5 % Ni O的 n-p复合半导体材料 ,利用 XRD,TEM,IR,UV-Vis和 TPD技术对材料结构、吸光性能和化学吸附性能进行了表征 ,研究了该材料上 CO2和 H2 O的光促表面催化反应 ( PSSR)规律 .结果表明 ,所制备的材料能够明显促进 PSSR的进行 ,室温条件下即有 CH3 OH,CH4和 CO生成 .讨论了温度对 PSSR的影响规律 .根据实验结果 ,得出 CO2 在材料表面的剪式和卧式吸附态分别为 CH4和 CH3 OH的前驱物 ,并对 PSSR机理进行了讨论 .The n-p coupled semiconductor material 0.5%Cu/ZnO-1.5%NiO was prepared by using sol-gel method, over which the photo stimulated surface-catalytic reaction(PSSR) of synthesis of CH 3OH from CO 2 and H 2O was studied. XRD, TEM, IR, UV-Vis and TPD experiments were adopted for characterizing the structure, photon absorbing and chemisorbing ability of the material. It was revealed that, during PSSR over the prepared material, CH 3OH, CH 4 and CO can be secured at a normal temperature. The influence of temperature on PSSR was discussed, based on which shearing and horizontal chemisorption states of CO 2 were ascertained to be the surface precursors of CH 4 and CH 3OH, respectively. Finally the PSSR mechanism was presented.
关 键 词:Cu/ZnO-NiO 反应规律 光促表面催化反应 复合半导体 二氧化碳 水 甲醇 反应机理 铜 氧化锌 氧化镍
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