国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅳ.全面溶解的抑制  

作　　者：卢江[1] 曹婉真[1] 徐友龙[1] 

机构地区：[1]西安交通大学

出　　处：《电子元件与材料》1992年第4期6-10,共5页Electronic Components And Materials

摘　　要：通过对各级工艺环节处理前后铝箔厚度变化的测量,发现全面溶解产生于两级电化学处理,第一锻电化学处理厚度变化30μm左右,第二级电化学处理厚度变化10μm左右。用氢氧化钠调节第一级电化学处理液的酸度,在氢氧化钠含量大于46g·L^(-1)时,第一级电化学处理不再发生全面溶解。由铬酸盐转化膜的性质出发,中硝酸处理前对转化膜进行加热改性处理,使第二级电化学腐蚀不再发生全面溶解。对盐酸+硫酸、盐酸+硫酸+氟化铵,盐酸+硫酸+铬酸酐、盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液对铝箔的溶解速率的测定,发现铬酸酐的加入使溶解速率比盐酸+硫酸溶液大80倍左右,而氟化铵的加入仪提高6～9倍,即铬酸酐是最重要的影响因素。

关 键 词：铝箔 隧道腐蚀 铝 电解电容器 

分 类 号：TM535.1[电气工程—电器]