Optimization Design of Active Structure of Strained MQW DFB Lasers  

应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计(英文)

作　　者：张冶金[1] 朱林[1] 高志国[1] 陈明华[1] 董毅[1] 陈维友[2] 刘式墉[2] 谢世钟[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084 [2]吉林大学电子工程系,长春130023

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第1期6-10,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：The well number and the cavity length of 1.55μm wavelength In 1-x-y Ga y Al x As MQW DFB lasers are optimized using a simple model.A low threshold,maximum operating temperature of 550～560K,and high relaxation oscillation frequency of over 30GHz MQW DFB laser is presented.利用一个简单模型对 1.5 5μm波长 In1 - x - y Gay Alx As MQW DFB激光器的阱数和腔长进行了优化 ,模拟得到了最高工作温度达 5 5 0～ 5 6 0 K,张弛振荡频率在 30 GHz以上的低阈值 MQW DFB.

关 键 词：In 1-x-y Gay Alx As QW laser DFB differential gain optimization design 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]