用MBE技术在Se钝化（100）GaAs表面上再生长...  

出　　处：《发光快报》1992年第1期20-23,共4页

关 键 词：砷化镓 硒化物 外延层 MBE 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]