新型Q开关晶体Cr^(4+):YAG的生长和被动调Q研究  

Research on Crystal Growth and Passively Q-switching of Cr^(4+):YAG

作　　者：黄朝红[1] 肖敬忠[1] 张庆礼[1] 赵南京[1] 王爱华[1] 殷绍唐[1] 余吟山[1] 

机构地区：[1]中国科学院安徽光学精密机械研究所新型激光器和晶体材料研究室,合肥230031

出　　处：《量子电子学报》2003年第1期26-29,共4页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：国家自然科学基金重点项目(项目号:5983208)

摘　　要：本工作采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr4+:YAG。所生长的晶体在空气中退火(1450℃)50小时后,晶体的颜色明显加深。吸收光谱测量表明晶体中的Cr4+离子浓度得到显著提高。在闪光灯泵浦的Nd:YAG激光器上对不同透过率、退火后的Cr4+:YAG晶体进行了被动调Q实验。结果表明所生长出的Cr4+:YAG晶体对Nd:YAG激光器具有很好的调Q作用。We grew Cr4+:YAG crystal with high optical quality by Czochralski method using divalent Ca ions as charge compensation ions. Furthermore, we also annealed the as-grown crystal in air at 1450℃ for 50 hours. Absorption spectra show that the content of Cr4+ ions and absorption coefficient at 1.06μm in Cr4+:YAG crystal annealed increase remarkably. In addition, we also researched Q-switching experiments of lamp pump Nd:YAG laser using Cr4+:YAG crystal with different thickness as absorbers. The results indicate that grown Cr4+:YAG crystal can Q-switch effectively Nd:YAG laser.

关 键 词：晶体生长 退火 被动调Q 灯泵Nd:YAG激光器 调Q固体激光器 CR^4+:YAG 

分 类 号：TN248.13[电子电信—物理电子学]