检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
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机构地区:[1]中国科学院半导体研究所集成光电子实验室,北京100083
出 处:《激光与红外》2003年第1期17-20,共4页Laser & Infrared
基 金:国家自然科学基金 (698962 60和 69990 5 40 ) ;973项目 (G2 0 0 0 0 3 66)
摘 要:文中简要介绍了集成光开关阵列的研究进展 ,重点分析了不同材料和不同结构的开关阵列的特点 :绝缘体上的硅 (SOI)和III -V族化合物半导体光开关阵列是阵列开关研究的重点 ,完全无阻塞简化树型和拜尼兹重排无阻塞型阵列开关有良好的综合性能 ,半导体光放大器(SOA)光开关阵列已成为未来阵列开关发展的重要方向之一。Recent progress in integrated optical switch matr ic es are introduced briefly. The salient characteristics of optical matrices with various material and architecture are analyzed. The material used to fabricate s witch matrices are focused on the Silicon based SOI and III-V group compound. Th e switch matrices with the structure of Simplified Tree and Benes have excellent properties. SOA switch matrices have been one of the main directions of switch matrices'development. The future of optical switch matrices are also discussed in the paper.
关 键 词:光开关阵列 光联网 密集波分复用 半导体光放大器 光网络
分 类 号:TN256[电子电信—物理电子学]
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