Design of a CMOS Current-Adjustable Charge-Pump Circuit Insensitive to Power Supply and Temperature  

对电源及温度不敏感的电流可调的CMOS电荷泵电路的设计(英文)

作　　者：赵晖[1] 徐栋麟[1] 潘莎[1] 杨柯[1] 任俊彦[1] 章倩苓[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第3期260-265,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：上海市应用材料基金资助项目 (合同号 :0 10 2 )~~

摘　　要：A CMOS charge-pump circuit with adjustable current is presented.A bandgap voltage reference,a low drop-out regulator,and a capacitive DC-DC voltage-booster are used to generate supply voltage for the current reference.This generated voltage is insensitive to the changes of external power supply voltage and temperature,while the current reference itself is insensitive to temperature.The circuit is designed in 0.18μm 1.8V standard digital CMOS process.The simulated results show that the performance of the circuit is satisfied.设计了一种电流可调的CMOS电荷泵电路 ,其中采用了带隙基准源、低drop out调压器及电容式直流 直流电压升压器为电荷泵电路提供电源电压 ,此电压不受外部供电电压及温度变化的影响 ;同时 ,电荷泵电路中的参考电流源本身也对温度变化不敏感 .电路设计采用 0 18μm 1 8V标准的数字CMOS工艺 .模拟结果表明电路性能令人满意 .

关 键 词：current-adjustable charge-pump bandgap low drop-out regulator DC-DC voltage-booster 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]