与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展  

Research Progress of Si Light Emitting Devices in Standard CMOS Technology

作　　者：陈弘达[1] 孙增辉[1] 毛陆虹[1] 崔增文[1] 高鹏[2] 陈永权[2] 申荣铉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 [2]天津大学电子与信息工程学院,天津300072

出　　处：《光电子．激光》2003年第3期327-330,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"863"计划资助项目(2001AA312080;2002AA312240;2001AA122032);国家自然科学重大基金项目(69896260)

摘　　要：本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。The research progress of silicon LED in standard CMOS technology process was reported in this paper.The emission mechanism,device fabrication and application prospects were detailed.

关 键 词：Si基光发射器件 LEP RBS P-N结 CMOS Si反偏P-n结 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学] TN305