真空残气对GaAs阴极发射性能的影响  

EFFECT OF RESIDUAL GAS ON EMISSION PROPERTY OF GALLIUM ARSENIDE CATHODE IN VACUUM

作　　者：徐江涛[1] 

机构地区：[1]西安应用光学研究所,陕西西安710100

出　　处：《应用光学》2003年第2期13-15,共3页Journal of Applied Optics

摘　　要：　针对三代微光像增强器的GaAs阴极灵敏度下降,分析真空残气对阴极发射性能的影响。实验结果表明,有害气体是造成阴极灵敏度下降的主要因素。As for the GaAs cathode sensitivity decrease of the third generation LLL image intensifier, the effect of the residual gas on emission property of GaAs cathode in vacuum is analysed. Experimental results show that the harmful gas is the main factor of the cathode sensitivity dropping.

关 键 词：真空残气 GaAs阴极 阴极灵敏度 三代微光像增强器 发射性能 砷化镓阴极 

分 类 号：TN144[电子电信—物理电子学] TN223