PbWO_4晶体探测器读出单元PIN硅光管PUNCH-THROUGH效应研究  

作　　者：IppolitovMikhail AlexandrovDmitri SiliriakYuri MankoVladislav BogoliovbskiMikhail SadovskiSergei KenstantinovSergei PetrovViacheslav ArneKlovning 周书华 袁坚 李成波 孟秋英 

机构地区：[1]Kurehatov [2]n(HEP [3]University

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2001年第1期46-47,共2页

摘　　要：利用CERN/SPS加速器提供的5、10、20、30、40 GeV电子束和100 GeV的μ粒于束分别对PbWO4晶体探测器读出单元PIN硅光管存在的PUNCH-THROUGH效应进行了研究。图1是100GeV μ粒子束测得的能谱。图中左右峰分别为μ粒子能量沉积在PbWO4晶体中并且剩余的带电粒子不穿过与穿过硅光管所得到的能峰,两峰位之差为212 MeV,对应于μ-MIP粒子在PIN硅中的能耗为212MeV。PIN硅光管的PUNCH-THROUGH效应存在显然使信号能量分辨率变坏,甚至产生假信号,影响正常光子的测量。从图1可以看到,两峰分辨很好,它表明以PIN硅光管作为PbWO4晶体探测器读出单元的系统能量分辨率足够好。作为比较。

关 键 词：PbWO4晶体探测器 读出单元 PIN硅光管 PUNCN-THROUGH效应 

分 类 号：TL81[核科学技术—核技术及应用]