碳纳米管膜的压阻效应  

作　　者：李勇[1] 王万录[1] 廖克俊[1] 胡陈果[1] 黄智[1] 冯庆[1] 

机构地区：[1]重庆大学数理学院应用物理系,重庆400044

出　　处：《科学通报》2003年第1期26-28,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究.实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成,压阻效应用3点弯曲法测量.研究发现:在室温下与500微应变时,碳纳米管膜的压阻因子至少是65,超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30.并且,碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大.还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制.

关 键 词：碳纳米管膜 压阻效应 气相沉积法 3点弯曲法 压阻因子 传感器件 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]