半导体桥装置及制作方法  

作　　者：Martinez-Tovar 徐荩 

出　　处：《火工情报》2002年第1期108-120,共13页

摘　　要：具有半导体元件（10）的起爆装置（24）由被起爆桥（14c)分隔开的半导体垫片（14a,14b)和置于其上喷镀的金属化电极（16a,16b)构成。金属化电极（16a,16b)具有金属钛的底层（18），钛-钨结构的中间层（20）和钨金属的顶层（22）。这种多层结构应用简便，与半导体（14）之间粘着力强，能提高半导体特性，避免用铝作金属化电极时，在恶化条件实验（不发火试验，超低发火电压或低发火电流等）中可能出现的电荷迁移问题，半导体（14）可用类似于金属化电极（16a,16b)的分层结构的金属幅或盖覆盖。制作半导体桥装置的方法包含钛金属掺杂，钛-钨金属掺杂和钨金属掺杂。这三层金属以适当比例掺杂在半导体层上制成此发明中的金属化电极（16a,16b)和/或盖幅（117）。

关 键 词：起爆装置 金属化电极 半导体垫片 半导体桥 制作方法 

分 类 号：TJ430.3[兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]