用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜  

REACTIVE SPUTTERING OF INDIUM TIN OXIDE THIN FILMS USING AC TWIN\|TARGET

作　　者：赵印中[1] 王洁冰[1] 邱家稳[1] 许旻[1] 李强勇[1] 

机构地区：[1]兰州物理研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《真空与低温》2003年第1期13-16,34,共5页Vacuum and Cryogenics

摘　　要：采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。Thin films of indium tin oxide have been prepared by AC Twin\|target reactive sputtering from indium tin oxide ceramics targets. The optical transmittance of samples exceeds 85%. The effect of technics parameters on the properties of indium tin oxide thin films has been studied.\;

关 键 词：孪生靶磁控溅射 ITO 透明导电 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] O484.4[理学—固体物理]