低能N^+注入诱导拟南芥变异及突变体特异表达cDNA克隆  

作　　者：常凤启[1] 李银心[1] 刘选明[1] 刘公社[1] 朱至清[1] 

机构地区：[1]中国科学院植物研究所,北京100093

出　　处：《自然科学进展》2003年第3期259-262,共4页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19605005)

摘　　要：低能N^+离子注入拟南芥引起处理当代(M_0)种子的萌发率降低,并且降低的幅度随剂量的升高而增大。较高剂量离子处理的M_2代植株中出现了较明显的表型变异,包括黄化、半致死、形态变异以及开花结实性状的改变等。对M_2代植株进行随机引物扩增多态性DNA(RAPD)分析的结果表明,离子注入处理的拟南芥中有RAPD条带的缺失或增加,且变化频率与离子注入的剂量相关,而对照未发现有明显变化。80次剂量处理的M_1代植株中有一株特别矮小,为典型的矮化变异体,以它的一个稳定的M_6代矮化突变体T80Ⅱ为材料,用PCR增效的减法杂交技术,构建减法文库,克隆特异表达的cDNA片段,其中1个712bP的片段与GRF基因有部分同源性。

关 键 词：低能N^+离子注入 拟南芥 表型变异 突变体 cDNA 减法文库 基因克隆 基因表达 诱变效应 

分 类 号：Q691[生物学—生物物理学] Q78