碳纳米管的薄膜场发射  

Field Emission of Carbon Nanotube Film

作　　者：张兆祥[1] 张耿民[1] 侯士敏[1] 刘惟敏[1] 赵兴钰[1] 薛增泉[1] 

机构地区：[1]北京大学电子学系,北京100871

出　　处：《真空科学与技术》2003年第1期27-32,共6页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金 (No 60 2 3 10 10 ;90 2 0 60 48;60 12 810 1;60 1710 2 5 ) ;国家重点基础研究资助项目 (No 2 0 0 1CB610 5 0 3 ) ;教育部博士点基金项目 (No 2 0 0 2 0 0 0 10 0 3 )

摘　　要：薄膜场发射特性是碳纳米管 (CNT)研究的重要课题之一 ,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本文就CNT的场发射做一综合评述 ,主要涉及性能指标、结构模型。The latest progress in the field emission studies of carbon nanotubes (CNT),which could be the most promising field emission material,was reviewed.Discussion focuses on its technical specifications,its configurations as well as the patterning and fabrication technologies for the purposes of popularization of its applications.

关 键 词：碳纳米管 薄膜场发射 制备工艺 场发射阴极 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]