高分子光波导宽带耦合器的抗温变设计  

作　　者：卢红亮[1] 陈抱雪[1] 赵德欣 袁一方[1] 矶守[3] 

机构地区：[1]上海理工大学光电学院，上海200093 [2]霓塔光电器件上海有限公司，上海200233 [3]日本东京农工大学工学部应用化学系，日本184—8588

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期141-145,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：提出了一种适合于宽带光波导耦合器的抗温度变动的优化设计理论和方法。使用该理论和方法，在1490nm-1610nm带域上，对含氟聚酰亚胺光波导做了宽带光波导3dB耦合器的抗温度变动设计。器件经三维波束传播法（BPM）模拟运行验证，结果表明，在120nm带宽上，从零下10℃至零上40℃的温度变动中，器件实现了（50±0.7）％功率输出比的良好特性。

关 键 词：高分子光波导 抗温度变动 优化设计 宽带耦合器 光波导耦合器 含氟聚酰亚胺光波导 输出特性 

分 类 号：TN622[电子电信—电路与系统] TN252