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作 者:张兆祥[1] 张耿民[1] 侯士敏[1] 张浩[1] 顾镇南[2] 刘惟敏[1] 赵兴钰[1] 薛增泉[1]
机构地区:[1]北京大学电子学系,北京100871 [2]北京大学化学与分子工程学院,北京100871
出 处:《物理学报》2003年第5期1282-1286,共5页Acta Physica Sinica
基 金:国家自然科学基金 (批准号 :60 2 310 10;90 2 0 60 48;60 1710 2 5 ;60 12 810 1);国家重点基础研究资助项目 (批准号 :2 0 0 1CB610 5 0 3);教育部博士点基金 (批准号 :2 0 0 2 0 0 0 10 0 3);教育部留学回国科研启动基金资助的课题~~
摘 要:利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2 的四极质谱和O2 对单壁碳纳米管场发射的影响 .单壁碳纳米管经过约 10 0 0℃的热处理得到清洁态场发射像后 ,充入O2 ,分别测量了O2 吸附和脱附后场发射的I V特性 .实验观测到在单壁碳纳米管上O2 的吸附使场发射电流减小 ,说明逸出功增加 .在 10 - 4 Pa的O2 压强下对单壁碳纳米管进行约 10 0 0℃的热处理 ,可以产生氧化刻蚀作用 ,观测到场发射像的变化 ,并测量了氧化刻蚀产生的IInfluence of oxygen on the field emission of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) was studied using a field-emission microscope (FEM) and a quadrupole mass spectrometer. After heat treatment at 1000degreesC, the field emission of clean SWCNTs occurred. Then oxygen was introduced into the vacuum system and the curves of field emission current versus anode-cathode voltage (I-V curves) were acquired after oxygen adsorption and desorption, respectively. We have observed that oxygen adsorption on SWCNTs leads to a decrease in field emission current, indicating an increase in the work function. Oxidation etching occurred when the SWCNTs were annealed at about 1000degreesC under a pressure of 10(-4) Pa, and the corresponding changes were observed in both field emission images and I-V curves.
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