降低非自对准LDMOS功率管R_(DSon)离散性的途径  

作　　者：MikeGao KirkKamberg ShriRamaswami 

机构地区：[1]摩托罗拉公司

出　　处：《中国集成电路》2003年第49期72-76,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：LDMOS 功率管工作在线性区时,R_(DSon)取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS 功率管漂移区的一端与栅极没有自对准关系,因此一些工艺偏差(诸如光刻 CD、重叠、刻蚀 CD等)均可影响器件的沟道长度。Motorola 公司在 SMOS7LV^(TM)工艺开发过程中,曾发现非自对准 LDMOS功率管 R_(DSon)离散比规范值大8%(1σ)。有关 R_(DSon)的离散的分析表明,主要是因重叠性不良而引起。优化对准方案之后,R_(DSon)离散可由原先的～12%降至<3%。

关 键 词：LDMOS功率管 RDSon 离散性 横向双扩散MOS晶体管 光刻对准 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]