碳纳米管的最新制备技术及生长机理  

作　　者：胡平安[1] 王贤保[1] 等 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所，北京100080

出　　处：《炭素科技》2003年第1期8-13,共6页

摘　　要：结合笔者的工作综述了碳纳米管的制备技术及生长机理的最新研究进展，重点介绍了近两年来碳纳米管制备的进情况，包括传统制备方法的改进（电弧放电法、化学气相沉积法和激光蒸发法）、新型制备技术、特殊结构的碳纳米管制备；同时探讨了碳纳米管的各种生长机理；最后提出了碳纳米管制备技术和生长机理的发展方向。

关 键 词：碳纳米管 制备技术 生长机理 电弧放电法 化学气相沉积法 激光蒸发法 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学]