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作 者:金志良[1] 屠玉珍[1] 顾德英[1] 封伟忠[1] 林岳明[1] 刘斌[1] 方祖捷[1]
机构地区:[1]中科院上海光机所,上海201800
出 处:《激光与红外》1992年第1期50-53,共4页Laser & Infrared
摘 要:本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。GaAlAs/GaAs laser phased arrays for pumping Nd^+-doped solid laser are described in this paper. Ten-ele-ment arrays have been fabricated by using oxide mask and zinc diffusion stripe geometry structures. The lasing wavelength is in the range of 809±5nm, and the output power is over 200mW. They have been used for pumping Nd:YAG and Nd-glass lasers.
分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]
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