现代表面分析技术在半导体材料中的应用  

Application of modern surface analysis technologies in semiconductor materials

作　　者：任殿胜[1] 郝建民[2] 马农农[2] 严如岳[2] 王为[1] 

机构地区：[1]天津大学化工学院,天津300072 [2]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300192

出　　处：《现代仪器》2003年第3期20-22,共3页Modern Instruments

摘　　要：本文简要介绍TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱仪)、XRD(X射线双晶衍射仪)、SIMS(二次离子质谱仪)和XPS(X射线光电子能谱仪)等现代分析仪器的特点,着重报道这些分析技术在分析砷化镓抛光片的表面痕量沾污、表面晶体完整性、表面镓砷比、表面化学组成、表面氧含量以及氧化层厚度等方面的应用。Time of flight secondary ion mass spectroscopy (TOF - SIMS) , X - ray diffraction (XRD) , X - ray photo-electron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS') were simply introduced in this paper. The trace contaminant on the GaAs surface, the composition and chemical states of components of native oxide layer of GaAs, the Ga/As atomic ratio, the thickness of the oxide layer and the depth profiles of the oxygen element in the GaAs wafer were measured by these technologies.

关 键 词：砷化镓 表面分析 半导体材料 飞行时间二次离子质谱仪 X射线双晶衍射仪 二次离子质谱仪 X射线光电子能谱仪 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O657[理学—分析化学]